LED 技术术语词汇表

LED 与光电技术领域发展迅速，随之衍生出大量专业术语，初接触时往往难以理清。Tech-LED.com 专注于为医疗诊断、工业传感、安防、机器视觉及科学研究等应用提供先进的 LED（发光二极管）解决方案，产品涵盖红外（IR）、近红外（NIR）、短波红外（SWIR）、紫外（UV）及可见光 LED、光电二极管及板上芯片（COB）LED 等。

无论您是工程师、产品开发人员还是研究人员，本词汇表均可作为全面参考，助您深入理解 LED 及光子学相关术语。本指南以清晰准确为原则，提供简明定义、行业见解及相关 LED 产品的直达链接。

欢迎探索以下术语，拓展您在 LED 及光电技术领域的专业知识！

A

**AC（交流电）（Alternating Current）**电流方向周期性反转的电流，常用于家用电源供应。

**Accent Lighting（重点照明）**用于突出特定区域或物体的照明，通常用于装饰或建筑美化。

Active Layer（有源层）
LED p-n 结处的薄半导体层，电子与空穴在此复合并发光。

Aluminum Gallium Nitride（AlGaN，氮化铝镓）
一种半导体材料，用作蓝光 LED 有源层中约束电子的势垒层。

**Ambient Lighting（环境照明）**为空间提供整体亮度的通用照明，确保可见度与舒适度。

**Amperage（电流强度，Amps）**以安培（A）为单位衡量的电流强度，表示电流的流量。

Annealing（退火）
通过加热改变材料性能的工艺，在 LED 制造中用于激活 p 型掺杂。

**Anode（阳极）**LED 中电流进入的正极。

B

Band Gap（禁带宽度）
半导体中价带与导带之间的能量差。禁带宽度决定 LED 发出光的颜色。

**Beam Angle（光束角）**光源发光的角度，决定光线的扩散范围。

**Binning（分档）**根据亮度、颜色及其他性能特征对 LED 进行分类的过程，以确保一致性。

**Bi-Color LED（双色 LED）**在单一封装中包含两种不同半导体芯片的 LED，可发出两种不同颜色。了解更多。

Buffer Layer（缓冲层）
半导体生长中使用的中间层，用于减少缺陷并提升晶体质量。例如，氮化铝（AlN） 曾被用于改善氮化镓晶体的生长质量。

C

**Candela（坎德拉，cd）**光强度单位，衡量光源在特定方向上发出的功率。

**Cathode（阴极）**LED 中电流流出的负极。

**Chip Material（芯片材料）**LED 芯片所用的半导体材料，如 AlInGaN 或 GaAs（砷化镓），影响性能和波长。

Chip-on-Board（COB，板上芯片）LED将多个 LED 芯片封装在单块基板上以提高功率和效率的 LED 封装形式。了解更多。

**Color Rendering Index（CRI，显色指数）**衡量光源与自然光相比还原颜色准确程度的指标，评分范围 0 至 100。

**Color Temperature（色温）**光源发出光的色调，以开尔文（K）为单位。色温越低光色越暖，色温越高光色越冷。

Conduction Band（导带）
半导体中能量较高的能带，电子可在此自由移动，从而实现导电。

**Controller（控制器）**管理 LED 调光、变色及序列控制等功能的设备。

Crystal Lattice（晶格）
半导体晶体中原子的有序排列结构。高质量晶格对高效 LED 至关重要。

D

**DC（直流电）（Direct Current）**单向流动的电流，常用于 LED 应用。

Depletion Region（耗尽区） – p-n 结附近移动载流子被耗尽的区域，形成内建电场以控制电子和空穴的流动。

Diode（二极管）
具有两个电极、仅允许电流单向流动的元件。

**Dimmable LED（可调光 LED）**设计为可与兼容调光器配合使用、支持亮度调节的 LED。

Doping（掺杂） – 向半导体中引入杂质以改变其电气性能的过程，可制造 n 型和 p 型半导体。

**Driver（驱动器）**调节 LED 供电的电子装置，确保稳定性能和长寿命。

E

EDC LED适用于紧凑型高强度照明的大功率 LED。了解更多。

EDCC LED提供宽波长范围的大功率 LED 系列，常用于特种应用。了解更多。

**Efficacy（发光效率）**衡量光源将电能转化为可见光的效率，以流明每瓦（lm/W）表示。

**Electroluminescence（电致发光）**材料在施加电流或强电场时发光的现象，是 LED 工作的基本原理。

Electron Beam Irradiation（电子束辐照）
用于改变半导体性质的技术，例如将掺镁氮化镓转变为 p 型。

Electron Mobility（电子迁移率）
衡量电子在半导体材料中运动速度的指标，影响 LED 效率。

**External Quantum Efficiency（EQE，外量子效率）**LED 发出的光子数与通过的电子数之比，以百分比表示。

F

**Foot-candle（英尺烛光，fc）**照度单位，表示距光源一英尺处表面所受的光照量。

**Forward Current（正向电流）**LED 正常工作所需的电流量，通常以毫安（mA）或安培（A）为单位。

**Forward Voltage（正向电压，Vf）**LED 正向偏置时两端的压降，对确定合适的工作电压和电源设计至关重要。

G

Gallium Arsenide（GaAs，砷化镓）
用作其他半导体层生长衬底的半导体材料。

Gallium Nitride（GaN，氮化镓）
具有宽禁带的半导体材料，是制造蓝光 LED 的关键材料。

**Glare（眩光）**引起不适或影响视力的过强亮度。

H

**Half Width（半宽）**描述 LED 在峰值强度一半处光谱宽度的规格参数，常用于判断颜色纯度。

**Heat Sink（散热器）**为 LED 散热的部件，确保最佳性能和使用寿命。

**High-Power Illuminator LED（大功率照明 LED）**专为工业应用设计的大功率 LED 阵列。了解更多。

Hydrogen Passivation（氢钝化）
氢原子与氮化镓中镁等掺杂剂结合的现象，阻止 p 型行为的出现，直至退火去除氢原子后才恢复。

I

**Illuminance（照度）**落在单位表面积上的光量，以勒克斯（lux）或英尺烛光（foot-candles）为单位。

Indium Gallium Nitride（InGaN，氮化铟镓）
用作蓝光 LED 有源层的化合物半导体，可增强发光并提高效率。

Ingress Protection（IP，防护等级）Rating表示灯具对粉尘和水的防护等级的分类标准。

Infrared（IR，红外）LED发射红外光的 LED，常用于夜视、安防及遥感应用。了解更多。

J

**Junction Temperature（结温，Tj）**LED 半导体结的工作温度。保持低结温对优化性能、效率和使用寿命至关重要。

K

**Kelvin（开尔文，K）**色温单位，描述光线呈现暖色调还是冷色调。

KGD（Known-Good-Die，已知良品裸片）LED在封装前已通过完整电气和光学测试的半导体裸片。了解更多。

L

Lattice Mismatch（晶格失配）
衬底与其上生长的半导体层之间原子间距的差异。晶格失配过大会产生缺陷，降低 LED 效率。

**Lead Frame Die（引线框架芯片）**支撑 LED 芯片并提供电气连接的金属结构。

**LED（Light-Emitting Diode，发光二极管）**当电流通过时发光的半导体器件，发出光的颜色取决于所用半导体材料的禁带宽度。

**LED Chips（LED 芯片）**构成 LED 核心、决定颜色和亮度的半导体芯片。了解更多。

**Lens（透镜）**置于 LED 上方的光学元件，用于控制发射光的方向和扩散。

**Lumen（流明，lm）**光源发出的可见光总量的度量单位。

**Luminous Efficacy（光视效能）**每瓦电能产生的流明数之比，表示光源效率。

**Luminous Flux（光通量）**光源发出的可见光总量，以流明计。

**Lux（勒克斯，lx）**照度单位，衡量单位面积表面接收到的光量。

**Luminance（亮度，cd/m²）**表面亮度的度量，定义为单位面积在给定方向上发出的光量。

M

**MacAdam Ellipse（麦克亚当椭圆）**色度图上代表人眼无法分辨的颜色范围的区域。

Metal-Organic Chemical Vapor Deposition（MOCVD，金属有机化学气相沉积）
一种生长高纯度半导体晶体的技术：将金属有机气相分子注入加热腔体，在衬底上反应并沉积薄层。

Micro LEDs（微型 LED）
极小型 LED（最小可达 5 微米），用于高分辨率显示器、AR/VR 应用及下一代照明。

**Micro UV-LED Chip（微型紫外 LED 芯片）**用于特种应用的小型紫外 LED 芯片。了解更多。

N

**Narrow Beam Angle LED（窄光束角 LED）**采用聚焦出光设计（如 ±10° 透镜）的 LED，适用于高强度应用场景。

**Nanometer（纳米，nm）**等于十亿分之一米的长度单位，常用于定义光的波长。

**Near UV LED（近紫外 LED）**发射 400–420 nm 范围紫外光的 LED，用于法证分析和材料传感。了解更多。

N-type Semiconductor（n 型半导体）
掺入磷等元素（提供额外电子）的半导体，以负电荷载流子（电子）为多数载流子。

O

**Optoelectronics（光电子学）**研究和应用光源、光探测及光控制电子器件（包括 LED、光电二极管和激光二极管）的学科。

P

**Phosphor Conversion（荧光粉转换）**白光 LED 中使用的工艺：蓝光或紫外 LED 激发荧光粉材料，使其发出覆盖更宽光谱的光。

Phosphor Coating（荧光粉涂层）
涂覆在 LED 上的材料层（如蓝光 LED 上的黄色荧光粉），用于调整光谱并产生白光。

**Photodiode（光电二极管）**将光转换为电流的半导体器件。了解更多。

P-N Junction（p-n 结）
LED 中 p 型与 n 型半导体材料的交界面，电子与空穴在此复合并发光。

P-type Semiconductor（p 型半导体）
掺入硼等元素（产生"空穴"，即电子的缺失）的半导体，以正电荷载流子（空穴）为多数载流子。

**Pulse Width Modulation（PWM，脉冲宽度调制）**通过快速开关 LED 来调节亮度的控制方法，占空比决定感知亮度。

R

**Radiant Intensity（辐射强度）**LED 在特定方向上单位立体角内发出的功率，通常以毫瓦每球面度（mW/sr）为单位。

S

SMBB LED专为工业应用设计的大功率表面贴装 LED。了解更多。

SMD（Surface Mount Device，表面贴装器件）LED直接贴装在电路板上的紧凑型 LED，广泛用于高密度照明应用。了解更多。

Semiconductor（半导体）
导电性介于导体与绝缘体之间的材料，在 LED 中用于高效发光。

**Spectral Power Distribution（SPD，光谱功率分布）**显示光源在各波长下发出功率的曲线，用于评估 LED 输出的颜色特性和质量。

STEM LED采用茎式封装以提升耐久性和光学性能的 LED 类型。了解更多。

Substrate（衬底）
半导体层在其上生长的基础材料。在 LED 生产中，蓝宝石等材料常用作衬底。

**SWIR LED（短波红外 LED）**发射 1050–1900 nm 范围光的短波红外 LED，用于食品分选和医学成像。了解更多。

T

**Through-Hole LED（直插式 LED）**带有引线脚、设计用于插入电路板通孔的传统 LED。了解更多。

U

**UV LED（紫外 LED）**发射 180–400 nm 紫外光谱的 LED，常用于灭菌、固化和荧光检测。了解更多。

V

Valence Band（价带）
半导体中电子通常所在的能带。在 LED 中，电子从导带跃迁至价带并发光。

**Visible LED（可见光 LED）**发射人眼可见光谱（400–800 nm）范围内光的 LED，可提供多种颜色。了解更多。

W

**Wide Beam Angle LED（宽光束角 LED）**设计用于在大面积区域分散光线的 LED，适合通用照明。

Z

Zinc Selenide（ZnSe，硒化锌）
另一种曾考虑用于蓝光 LED 的半导体材料，但因 p 型材料制备困难而最终较少采用。